LED芯片的特點(diǎn):

一、MB芯片

定義：METAL BONDING（金屬粘著）芯片；該芯片屬于UEC的專利產(chǎn)品。

特點(diǎn): 1.采用高散熱系數(shù)的材料---SI 作為襯底、散熱容易。

      2.通過金屬層來接合（WAFER BONDING）磊晶層和襯底，同時反射光子，避免襯底的吸收。

      3.導(dǎo)電的SI襯底取代GAAS襯底，具備良好的熱傳導(dǎo)能力（導(dǎo)熱系數(shù)相差3-4倍），更適應(yīng)于高驅(qū)動電流領(lǐng)域。

      4.底部金屬反射層、有利于光度的提升及散熱

      5.尺寸可加大、應(yīng)用于HIGH POWER領(lǐng)域、ER：42MIL MB

二、GB芯片

定義：GLUE BONDING（粘著結(jié)合）芯片；該芯片屬于UEC的專利產(chǎn)品

特點(diǎn)：1.透明的藍(lán)寶石襯底取代吸光的GAAS襯底、其出光功率是傳統(tǒng)AS（ABSORBABLE STRUCTURE）芯片的2倍以上、藍(lán)寶石襯底類似        TS芯片的GAP襯底。

      2.芯片四面發(fā)光、具有出色的PATTERN

      3.亮度方面、其整體亮度已超過TS芯片的水準(zhǔn)（8.6mil）

      4.雙電極結(jié)構(gòu)、其耐高溫電流方面要稍差與TS單電極芯片

三、TS芯片

定義:transparent structure（透明襯底）芯片、該芯片屬于HP的專利產(chǎn)品。

特點(diǎn): 1.芯片工藝制作復(fù)雜、遠(yuǎn)高于AS LED

      2.信賴性卓越

      3.透明的GAP襯底、不吸收光、亮度高

四、AS芯片

定義：ABSORBABLE STRUCTURE（吸收襯底）芯片

特點(diǎn): 1.四元芯片、采用MOVFE工藝制備、亮度項對于常規(guī)芯片要亮

      2.信賴性優(yōu)良